我們都知道，電容就是可以儲存電量的容器，而電容的基本原理就是使用兩片互相平行但未接觸在一起的金屬，中間以空氣或是其他材料作為為絕緣物，將兩片金屬的一片接在電池的正極，另一片接在負(fù)極，金屬片上就能儲存電荷，這種能儲存電荷的裝置就稱為【電容器】。不過本文最主要在闡明MLCC(多層陶瓷電容)
如下圖所示，當(dāng)兩金屬片間之電位差為1V，儲存之電荷量為1庫倫時，電容器的容量就是1法拉（Farad），以公式表示如下：C = Q / V
Q：金屬片上儲存的電荷量，單位為庫倫。
V：金屬片間的電壓，單位為伏特。
C：電容器的容量，單位為法拉。
所以電容器的容量與金屬片的面積成正比，但是與兩金屬片之間的距離成反比，并且與金屬片之間的絕緣介電質(zhì)(dielectric)常數(shù)有關(guān)。電容可以用下面的公式表下：
C = εA / L
(A:金屬片的電及面積；L:金屬片電極間的距離；ε:電極間絕緣物的介電常數(shù))。
多層陶瓷電容的原理：
而多層陶瓷電容(MLCC，Multi-Layer Ceramic Capacitor)因為可以作成薄片，比起「電解電容」在同樣的體積下MLCC可以大大提昇其電容器的容量。
MLCC的電容量公式可以如下表示：
C：電容量，以 F (法拉) 為單位，而MLCC 之電容值 以 PF, nF,和 µF 為主。
ε：電極間絕緣物的介質(zhì)常數(shù)，單位為法拉／公尺。
K：介電常數(shù) (依陶瓷種類而不同)
A：導(dǎo)電面積 (產(chǎn)品大小及印刷面積而不同)
D：介電層厚度 (薄帶厚度)
n：層數(shù) (堆迭層數(shù))
MLCC產(chǎn)品種類及規(guī)格介紹：
1、依照【溫度】特性分類：電容值隨溫度變化情形，可分為 COG(NPO)、X7R、Z5U、Y5V 等。
COG為EIA標(biāo)淮，其表示溫度從 -55°C到125°C電容值變化(以25°C之電容值為基淮)，COG為 +/- 30ppm/°C 。
NPO為COG一般常用之稱乎，N為「負(fù)(negative)」，P表「正(positive)」，O表「零」，表示此電容器在使用溫度范圍中, 其電容變化量很小幾乎為零。
X7R：表示-55°C(X)～125°C(7)其容量變化(以25°C為基淮)必須 ±15%(R) 以內(nèi)。
Y5V：表示-30°C(Y) ～到 85°C(5) 其容量變化(以25°C為基淮)必須在+22～82%(V)以內(nèi)。
以下是MLCC的溫度特性代表符號，僅供參考：
2、依照MLCC產(chǎn)品【尺寸】的大小分類：0402 ; 0603 ; 0805 ; 1206 等。
3、依照【電容量】來區(qū)分：如 10 PF, 100P, 1nF, 1 µF, 10 µF 等。
4、依照【工作電壓】區(qū)分：如 10V, 16V, 25V, 50V, 100V, 200V, 500V, 1KV, 2KV, 3KV。同一系列的產(chǎn)品， 其工作電壓越高，則其介電層厚度就必須越厚， 相對的其電容值也就較低。
例如：Y5V/0603/100nF產(chǎn)品 其工作電壓可達(dá)25v(堆迭層數(shù):約20 層, 介電層厚:12 µm)；Y5V/0603/1µF產(chǎn)品 其工作電壓只有10v(堆迭層數(shù): 約76層, 介電層厚:7 µm) 。
5、依照【容值允差】區(qū)分：如 ±0.1pF(B值)、±0.25pF(C值)、±0.5pF(D值)、±1%(F值)、±2%(G值)、±5% (J值)、±10%(K值)、±20%(M值)、 -20%～+80%(Z值)。
所以，一個完整的 MLCC 產(chǎn)品在規(guī)格描述上至少必須包括以上的全部特性。
例如 ：< NPO/0603/100PF/J/50V>
表示此產(chǎn)品的規(guī)格為：NPO材質(zhì)、0603尺寸、100PF容值、容值允差為±5%、耐壓為50V。
MLCC的制造流程：
MLCC本體的介電材料，以鈦酸鋇、 氧化鈦、鈦酸鎂、 鈦酸鍶…等為主，依據(jù)產(chǎn)品的種類(NPO, X7R, Y5V)決定不同的燒結(jié)溫度與燒結(jié)氣氛。
MLCC內(nèi)、外電極材料列表：
一、厚膜積層技術(shù) :
生胚成形：帶狀生胚，厚度: 5µm – 25 µm。
電極印刷：導(dǎo)電電極印刷, 依尺寸。
迭層技術(shù)：4 – 250 層。
切割技術(shù)：Knife cutting, Laser cutting, Sawing。
二、陶瓷共燒技術(shù)：
陶瓷及金屬電極材料：使用匹配的材料。
本體燒結(jié)技術(shù)：溫度 (950～1300°C)及氣氛控制 (空氣，氮/氫 混合氣)。
端電極技術(shù)：高溫?zé)?750～900°C) 及氣氛控制 (銅電極)。
電鍍技術(shù) (鍍鎳, 錫/鉛), 純錫電鍍。
MLCC之制造流程大致如下：
MLCC以材料特性又分為NME(Noble Metal Electrode，貴金屬電極)及BME(Base Metal Electrode，卑金屬電極)兩種制程技術(shù)，其生成運用的特性也稍有不同。NME比較穩(wěn)定，經(jīng)常作為耐高壓的產(chǎn)品，價錢也比較貴；BME則屬于低成本的產(chǎn)品，允差比較大，一般用在比較不挑剔的產(chǎn)品上。
MLCC的最大問題是太過脆弱，一個使用或處理不小心就容易出現(xiàn)破裂(crack)的情形發(fā)生，所以一般MLCC出廠時都會特別注明如何handle這些嬌客。焊接或是解焊時還得注意不要對其本體產(chǎn)生應(yīng)力，否則它就會「破」給你看。參考下面兩篇文章應(yīng)該可以給你一些關(guān)于MLCC破裂的知識：
MLCC多層陶瓷電容破裂的可能原因
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